铟(In) Indium 1, 物理性质: 原子量:114.818 电负性:1.78 密度:7.31 g/cm3 (20°C)(0-100°C) 熔点:156.5985 °C 沸点:2072 °C 2,规格: 化学纯度: 高纯铟:In-05 纯度99.999%以上,银,铝,砷,镉,铜,铁,镁,镍,铅,硫,硅,锡,铊,锌杂质总含量小于10ppm; 超纯铟:In-06 纯度99.9999%以上,镉,铜,铁,镁,铅,硫,硅,锡杂质总含量小于1ppm; 超高纯铟:In-07 纯度99.99999%以上,银,镉,铜,铁,镁,镍,铅,锌杂质总含量小于0.1ppm; 3,物理性状:棒,锭,片,粒,丸。 4,用途: 主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,高纯合金,超低温冷却,晶体管基极以及锗,硅单晶的掺杂剂,铟封,ITO,核辐射安全监控,电接触元件,焊料等。 5,包装:涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。
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